本申請(qǐng)公開一種輻射保護(hù)電路及半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，針對(duì)傳統(tǒng)通過(guò)PLC檢測(cè)傳感器狀態(tài)以控制是否執(zhí)行保護(hù)動(dòng)作存在延遲，進(jìn)而影響輻射保護(hù)的實(shí)時(shí)性的問(wèn)題。提供一種輻射保護(hù)電路，通過(guò)硬觸發(fā)電路實(shí)現(xiàn)在狀態(tài)傳感模塊檢測(cè)到半導(dǎo)體設(shè)備外存在...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N加熱盤及其制造方法、溫控裝置、半導(dǎo)體制造設(shè)備，涉及半導(dǎo)體處理技術(shù)領(lǐng)域。加熱盤包括加熱主體，加熱主體包括基體、加熱層、封裝層及若干焊球；基體包括相背的第一面和第二面，加熱層通過(guò)半導(dǎo)體制造工藝形成于基體的第二面，封裝層形成于加...

本申請(qǐng)公開一種電子束鏡的維護(hù)設(shè)備，涉及電子束量測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，用于解決相關(guān)技術(shù)中的電子束鏡的維護(hù)成本較高的技術(shù)問(wèn)題。該維護(hù)設(shè)備包括支撐件、承載臂和吊裝組件，承載臂可轉(zhuǎn)動(dòng)連接于支撐件，且承載臂能夠相對(duì)于支撐件在第一位置和第二位置之間轉(zhuǎn)動(dòng)，由第...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反射板、溫度控制方法、熱處理腔室、熱處理設(shè)備，反射板包含至少兩個(gè)加熱區(qū)，每一個(gè)加熱區(qū)內(nèi)均設(shè)有測(cè)溫裝置和加熱裝置，測(cè)溫裝置和加熱裝置用于與控制器通信連接。本申請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行熱處理工藝時(shí)，可以通過(guò)測(cè)溫裝置實(shí)時(shí)測(cè)量各加熱區(qū)的溫度，并通...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N雙螺母鎖緊扳手，涉及機(jī)械扳手技術(shù)領(lǐng)域。雙螺母鎖緊扳手包括：夾持扳手，包括手柄、傳動(dòng)件、上夾持頭及下夾持頭；傳動(dòng)件設(shè)置于手柄的前端，上夾持頭和下夾持頭設(shè)置在傳動(dòng)件的前側(cè)，且下夾持頭位于上夾持頭的下方；上夾持頭與傳動(dòng)件傳動(dòng)連接...

本申請(qǐng)公開了一種光學(xué)鏡組、光學(xué)裝置和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該光學(xué)鏡組中，沿光路依次設(shè)置的固定組、變焦組、補(bǔ)償組和至少一個(gè)切換組。變焦組可沿光軸相對(duì)于所述固定組進(jìn)行移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)焦距的連續(xù)調(diào)節(jié)，使得該光學(xué)鏡組為一種變焦鏡頭；而且，至...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種導(dǎo)電件、導(dǎo)電組件及薄膜沉積設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。導(dǎo)電件包括第一連接部、第二連接部和拐彎結(jié)構(gòu)；拐彎結(jié)構(gòu)連接在第一連接部和第二連接部之間，第一連接部用于與移動(dòng)件固定連接，第二連接部用于固定件固定連接。拐彎結(jié)構(gòu)具有多個(gè)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N卡盤及半導(dǎo)體設(shè)備。卡盤用于承載晶圓。本申請(qǐng)?zhí)峁┑目ūP能夠提升在對(duì)晶圓進(jìn)行加熱或者散熱時(shí)，晶圓表面溫度的均勻性。所述卡盤包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面沿所述卡盤的厚度方向相背設(shè)置。所述卡盤包括第一區(qū)域和第...

本申請(qǐng)?zhí)峁恿髟⒘髁靠刂蒲b置和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何提升層流元件的應(yīng)用便利性的問(wèn)題。具體的，該層流元件包括層疊設(shè)置的多個(gè)流道板，每個(gè)流道板包括實(shí)體結(jié)構(gòu)以及流道組，每個(gè)流道組包括流道；任意相鄰兩個(gè)流道板中，位...

本申請(qǐng)公開了一種沉積設(shè)備，包括外殼、磁控裝置、電源、導(dǎo)電連接件和饋入件。磁控裝置包括驅(qū)動(dòng)件、磁控件和聯(lián)軸器，驅(qū)動(dòng)件安裝在外殼上，驅(qū)動(dòng)件設(shè)有輸出軸，磁控件設(shè)有輸入軸，輸出軸通過(guò)聯(lián)軸器與輸入軸連接，并且輸出軸和輸入軸同軸。電源安裝在外殼上，...

本申請(qǐng)公開了一種工藝設(shè)備及其控流方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及流體輸入裝置，涉及流場(chǎng)控制技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取當(dāng)前工藝設(shè)備的各流入孔中流體的實(shí)際狀態(tài)數(shù)據(jù)；基于所述實(shí)際狀態(tài)數(shù)據(jù)和各分區(qū)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)產(chǎn)物特征，確定每個(gè)所述流入孔對(duì)應(yīng)的控制參數(shù)；不同的分區(qū)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體設(shè)備的溫控系統(tǒng)及溫度控制方法、半導(dǎo)體設(shè)備，溫控系統(tǒng)用于維持半導(dǎo)體設(shè)備的部件的溫度，其包括液冷結(jié)構(gòu)、主出液流路、主進(jìn)液流路、冷卻控溫裝置、控溫切換部和控制組件。液冷結(jié)構(gòu)被配置為利用冷卻液冷卻半導(dǎo)體設(shè)備的部件；冷卻液經(jīng)由...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N預(yù)熱環(huán)、內(nèi)襯結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體設(shè)備。預(yù)熱環(huán)應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備包括內(nèi)襯結(jié)構(gòu)。內(nèi)襯結(jié)構(gòu)形成有開口向上的環(huán)形的預(yù)熱環(huán)容納槽。預(yù)熱環(huán)容納槽的徑向外緣形成第一定位部，預(yù)熱環(huán)容納槽的徑向內(nèi)緣形成第二定位部。預(yù)熱環(huán)包括第一環(huán)部以及由...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制作方法、電子設(shè)備，包括提供堆疊結(jié)構(gòu)，堆疊結(jié)構(gòu)包括沿第一方向間隔設(shè)置的多個(gè)犧牲層、以及沿與第一方向垂直的第二方向間隔排列的多個(gè)字線接觸孔，每個(gè)字線接觸孔貫穿堆疊結(jié)構(gòu)，每個(gè)字線接觸孔內(nèi)填充...

本申請(qǐng)公開一種制動(dòng)盒、運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)、機(jī)械臂及半導(dǎo)體設(shè)備，涉及工業(yè)控制領(lǐng)域，用于實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)制動(dòng)，針對(duì)目前在動(dòng)態(tài)制動(dòng)時(shí)無(wú)法保證運(yùn)動(dòng)軌跡不偏離的問(wèn)題，提供一種制動(dòng)盒。本制動(dòng)盒中的泄放電路與電動(dòng)機(jī)的三相連接，可以對(duì)電動(dòng)機(jī)發(fā)電產(chǎn)生的電能進(jìn)行消耗，以...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體加工設(shè)備，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，用于解決相關(guān)技術(shù)中等離子體分布不均勻的問(wèn)題，該半導(dǎo)體加工設(shè)備包括：等離子體腔室、環(huán)形柱狀結(jié)構(gòu)和調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，等離子體腔室內(nèi)生成有處理待加工件的等離子體；環(huán)形柱狀結(jié)構(gòu)環(huán)繞于等離子體腔室的外...

本申請(qǐng)涉及反射板技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種反射板、半導(dǎo)體加工腔室及半導(dǎo)體退火工藝設(shè)備，用于解決反射板熱膨脹并發(fā)生熱偏移而導(dǎo)致的測(cè)溫通孔與高溫計(jì)導(dǎo)光棒擠碰的問(wèn)題；該反射板上設(shè)有沿平行于反射板的方向間隔的第一定位孔和第二定位孔；第一定位孔約束反射...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置，包括：工藝腔體；工藝套件，設(shè)置于工藝腔體內(nèi)部，用于約束工藝腔體內(nèi)的反應(yīng)空間；加熱組件，位于反應(yīng)空間外周，用于加熱工藝套件；以及反射壁，被配置為反射加熱組件的熱輻射，以將熱輻射導(dǎo)向工藝套件。通過(guò)引入反射壁，...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及工藝套件及半導(dǎo)體設(shè)備。工藝套件包括：限光壁(10)，其形成為環(huán)形，所述限光壁(10)的底部頂面具有凸出部(110)；外沉積環(huán)(20)，其底面具有凹陷部(210)，所述凸出部(110)伸入所述凹陷部(21...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其形成方法和電子設(shè)備，能夠有效優(yōu)化了不同尺寸的柵極開口內(nèi)功函數(shù)金屬層的刻蝕工藝，提高半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能與制程良率。形成半導(dǎo)體器件的方法包括：提供基體，基體上具有層間介電層，層間介電層的第一柵極開口與第二柵極開...