本申請提供一種屏蔽罩套件和沉積設備，屏蔽罩套件用于沉積設備，屏蔽罩套件包括屏蔽罩本體和隔離環，屏蔽罩本體包括圍合形成反應空間的屏蔽罩側壁，隔離環包括隔離本體，隔離本體設于屏蔽罩側壁朝向反應空間的內表面，且朝屏蔽罩套件的中心延伸。利用本申...

本申請公開了一種調節模組、光學裝置及半導體設備，涉及光學技術領域。本申請提供了一種用于調節光學鏡組角度的調節模組，該模組包括基準組件、用于固定光學鏡組的承載組件、設置于二者之間的調整座組件、第一調節組件和第二調節組件，第一調節組件連接于...

本申請涉及一種電容結構及其制造方法。該方法包括：在具有預設結構的基底表面交替制備電極層和電容介質層得到主體結構，且相鄰的電極層所使用的電極材料不同、多個電極層所使用的電極材料包括至少兩種；對多個電極層進行選擇性刻蝕后，制備位于主體結構表...

本申請提供一種阻尼單元、阻尼模塊、結構振動控制裝置及設備，涉及結構振動抑制技術領域，用于提升阻尼單元對于振動的抑制效果。該阻尼單元包括第一質量塊、第二質量塊、第一阻尼件以及第二阻尼件；第一阻尼件設置在第一質量塊和第二質量塊之間，第一阻尼...

本發明提供一種溫度計、晶圓溫度測量裝置、方法和半導體設備，涉及半導體制造領域。溫度計中包括正交偏振元件、第一探測器、第二探測器和處理器。第一探測器用于采集經過晶圓后的第一光束的第一信號強度；第二探測器用于采集到達第二探測器的第二光束的第...

本申請提供一種半導體器件及其制備方法、電子設備，可以降低柵極和漏極發生短路的風險，簡化半導體器件制作工藝中刻蝕和光刻的難度。半導體器件的制備方法包括：提供基體，基體包括間隔設置的第一柵極和第二柵極，以及位于第一柵極和第二柵極之間的柵間介...

本申請實施例公開了一種載臺調平裝置、載臺的調平方法和晶圓載臺裝置，載臺調平裝置包括控制器、電機承載座和電機，電機中的第一電機、第二電機和第三電機的一側用于安裝載臺，第一電機、第二電機和第三電機的另一側固定在電機承載座上方，且三個電機不共...

本申請提供一種半導體器件、半導體器件的制備方法和電子設備，用于使半導體器件中晶體管的布局更加緊湊，節省單元面積的占用，提高半導體器件的集成密度。半導體器件包括讀取晶體管和寫入晶體管。沿讀取溝道層的厚度方向上，讀取柵極和讀取源漏極分別位于...

本申請公開一種光致污染防護系統，包括密封罩、供氣組件、分流組件，每個密封罩密封包圍一個或多個元器件，一個密封罩內的元器件處于同一潔凈等級；密封罩設有進氣通道，密封罩之間設有連接通道供光線經過以及氣體通過；供氣組件提供潔凈氣體；分流組件用...

本申請提供一種氣體采樣系統及方法，該氣體采樣系統包括氣體流量補償模塊、采樣分析裝置、第一管路、第二管路、第三管路和三通節點，其中，氣體流量補償模塊通過第一管路連接三通節點的第一端口，三通節點的第二端口通過第二管路連接被測氣體管路，采樣分...

本申請提供一種激光光源的功率調節方法、功率調節裝置及激光維持等離子體LSP光源，該方法包括：獲取LSP光源的第一功率信號，第一功率信號用于表征LSP光源的輸出功率隨時間的變化情況；對第一功率信號進行處理，得到第一抖動信號，第一抖動信號表...

本申請提供一種檢測設備、半導體系統及半導體設備的檢測方法，涉及半導體技術領域，用于解決半導體設備處理后的晶圓的合格率較低的問題。檢測設備用于檢測半導體設備的反應腔的內部狀態。檢測設備包括驅動結構和控制器。驅動結構與一根或者多根探針的固定...

本申請提供一種控制變量優化方法、控制變量優化裝置及存儲介質，涉及制造控制領域，該方法包括：獲取被控對象的當前狀態參數，當前狀態參數用于表征被控對象的當前狀態；基于第一變量矩陣確定控制輸入序列；第一變量矩陣是第二變量矩陣經降維得到的，第二...

本申請提供一種射頻裝置、反射系數的確定方法以及通信設備，涉及射頻技術領域，用能夠在不不影響等離子體狀態的情況下確定反射系數，提升射頻裝置的反射系數確定方法的抗干擾特性。該方法應用于射頻裝置，包括：發射通道根據第一信號和探測序列輸出發射信...

本申請涉及存儲設備技術領域，公開了一種4F2存儲單元、存儲器及4F2存儲單元的制備方法，該4F2存儲單元，包括：襯底；在所述襯底一側表面沿厚度方向外延生長的半導體材料柱；覆蓋所述半導體材料柱表面的中間介質層；覆蓋所述中間介質層遠離所述襯...

本申請提供了一種工藝配方的控制參數的補償方法、裝置、系統、存儲介質及程序產品，涉及半導體技術領域，能夠精準地對半導體材料進行快速熱處理。該方法包括：執行工藝配方執行步驟：基于工藝配方的控制參數對目標產品進行加工，并獲取目標產品在加工過程...

本申請公開一種勻流裝置，涉及半導體加工技術領域，應用于量測腔室，包括第一導流部和第二導流部，第一導流部具有承接氣流的第一導流面；第二導流部連接于第一導流面的下邊緣區域，第二導流部具有第二導流面，通過第一導流部中的第一導流面與第二導流部中...

本申請提供了一種樣品測試方法、裝置、系統、存儲介質及計算機程序產品，涉及半導體技術領域，能夠提高能譜采集的效率。該方法包括：根據待測樣品對應的采集參數對待測樣品進行能譜采集，獲取第一能譜數據；在第一能譜數據超過數據采集范圍的情況下，對采...

本申請提供了種用于半導體工藝設備的噴淋頭和半導體工藝裝備，涉及半導體技術領域，旨在改善工藝氣體在腔室內壁沉積的問題。用于半導體工藝設備的噴淋頭包括：噴淋頭本體，噴淋頭本體上設置有至少一個第一進氣口和多個第一出氣口，第一出氣口用于輸送吹掃...

本申請提供了一種管路連接組件、流體傳輸裝置及液冷系統，包括第一接頭、接頭固定件和緊定件，接頭固定件套設于第一接頭外，接頭固定件上設有第一通孔，緊定件貫穿第一通孔并抵接于第一接頭，在本申請實施例中，由于緊定件通過接頭固定件內的第一通孔抵接...