本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，方法包括獲得半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)體，基本結(jié)構(gòu)體由基體層、第一介質(zhì)隔離層和溝道結(jié)構(gòu)組成；第一介質(zhì)隔離層位于基體層的第一表面，相鄰溝道結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)隔離層之間分布有電極凹槽；在基...

本申請公開了熱處理設(shè)備及進氣裝置，涉及熱處理技術(shù)領(lǐng)域，包括：設(shè)有用于放置晶圓的平臺的腔室；進氣裝置包括沿著預(yù)設(shè)弧線分布的至少兩個進氣孔，每個進氣孔分別與預(yù)設(shè)邊界上的不同預(yù)設(shè)邊界點一一對應(yīng)，并且，每個進氣孔與相應(yīng)的預(yù)設(shè)邊界點之間在預(yù)設(shè)方向...

本發(fā)明公開了一種置中治具、晶圓定位裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決治具與卡盤的對中位置不能精確調(diào)節(jié)，不能示教晶圓在卡盤上的中心位置，導(dǎo)致機械臂搬運位置的精度不夠，影響晶圓的生產(chǎn)的問題。該置中治具用于半導(dǎo)體加工設(shè)備，...

本申請?zhí)峁┝艘环N柔性鉸鏈、調(diào)節(jié)機構(gòu)、承載裝置及半導(dǎo)體設(shè)備。柔性鉸鏈包括沿第一方向?qū)盈B設(shè)置的殼體與結(jié)構(gòu)件，殼體用于收容致動器。殼體包括懸臂組件。懸臂組件用于在受到沿第一方向的作用力下彈性變形，從而在第一方向產(chǎn)生平動自由度。結(jié)構(gòu)件設(shè)有貫穿結(jié)...

本申請?zhí)峁╇娺B接結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體檢測技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何提高電路板與密封腔室之間的密封性能的問題。具體的，該電連接結(jié)構(gòu)用于密封腔室；電連接結(jié)構(gòu)包括密封蓋板和電連接板，密封蓋板用于覆蓋密封腔室的開口，密封蓋板設(shè)有安裝通孔；電...

本申請公開了一種X射線衍射裝置和控制方法，涉及衍射技術(shù)領(lǐng)域。通過準(zhǔn)直透鏡、平面分光晶體和聚焦透鏡實現(xiàn)了照射在待測樣品上的光斑為單色聚焦光斑；由于未使用雙曲彎晶，因此，可在大功率大光斑X射線源下得到單色化微小聚焦光斑，提高了照射到待測樣品...

本申請實施例提供一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決刻蝕性能較差的問題。該半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備包括第一電極、第二電極、背板，以及等離子體調(diào)節(jié)裝置，第一電極和第二電極沿第一方向相對設(shè)置，第二電極背離第一電極的一側(cè)設(shè)置有背板，第一電極上承...

本申請實施例提供一種導(dǎo)流組件及半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，解決生產(chǎn)效率較低的技術(shù)問題。該導(dǎo)流組件包括第一環(huán)狀主體、第二環(huán)狀主體、多個擋板，以及與多個擋板傳動連接的至少一個驅(qū)動件；第二環(huán)狀主體設(shè)置在第一環(huán)狀主體外，且與第一環(huán)狀主體間隔...

本申請公開了一種微區(qū)X射線衍射系統(tǒng)、方法及電子設(shè)備，涉及衍射技術(shù)領(lǐng)域。包括：X射線源、探測器和彎曲晶體。彎曲晶體的衍射面與羅蘭圓相切，彎曲晶體用于接收衍射光束。滿足布拉格衍射條件的衍射光束經(jīng)過彎曲晶體后被探測器收集；探測器根據(jù)衍射信息確...

本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，方法包括：刻蝕部分柵極，以在柵極的上方形成凹槽；采用氣相沉積工藝在凹槽的底部沉積第一金屬層以及在凹槽的側(cè)壁沉積第二金屬層，其中，第一金屬層的厚度大于第二金屬層的厚度，第一...

本申請?zhí)峁┮环N通道時延校正方法、射頻裝置以及通信設(shè)備，涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，用于提升射頻裝置的通道時延校正的準(zhǔn)確度。該通道時延校正方法，應(yīng)用于射頻裝置，射頻裝置包括控制電路、發(fā)射通道和反饋通道，控制電路與發(fā)射通道和反饋通道連接，發(fā)射通道和反...

本申請實施例提供一種真空泵隔振裝置及真空設(shè)備，真空泵隔振裝置包括基座、抱緊件、阻尼器、緩沖體和真空泵，基座包括基座本體，基座本體包括真空腔室。緩沖體連接于真空泵的外周緣，沿真空泵隔振裝置的高度方向，阻尼器連接于基座本體和真空泵之間，真空...

本申請?zhí)峁╇娮邮繙y設(shè)備和吊裝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何提高電子束量測設(shè)備中位移臺的維修效率的問題。具體的，該電子束量測設(shè)備包括真空腔體、位移臺、端蓋和移動組件，真空腔體形成有容納腔和與容納腔連通的開口；位移臺設(shè)于容納腔...

本申請涉及場效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種環(huán)柵納米片場效應(yīng)晶體管，電子器件及其制備方法，包括：襯底；位于襯底一側(cè)表面的溝道；溝道包括平行于水平方向的第一子溝道和平行于豎直方向的第二子溝道，在豎直方向第二子溝道至少與兩個第一子溝道相接觸；...

本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，包括準(zhǔn)備半導(dǎo)體器件的前驅(qū)結(jié)構(gòu)；前驅(qū)結(jié)構(gòu)包括襯底、柵極、源漏外延和層間介質(zhì)層，柵極包括柵極金屬和柵極側(cè)壁；刻蝕層間介質(zhì)層，使柵極凸出于層間介質(zhì)層；在柵極的上表面制作第一介質(zhì)...

本申請?zhí)峁┝擞糜诘入x子體反應(yīng)腔室的電加熱器、等離子體反應(yīng)腔室。該用于等離子體反應(yīng)腔室的電加熱器，其包括電熱絲、薄膜層和壓覆部。電熱絲嵌入于薄膜層中，薄膜層用于放置于等離子體反應(yīng)腔室的介質(zhì)窗的頂面；壓覆部被配置成至少能將薄膜層的邊緣壓抵于...

本申請?zhí)峁┮环N射頻功率合成器、射頻電源和電子設(shè)備，射頻功率合成器包括：多個輸入通道、一個輸出通道、多個第一阻抗匹配電路和一個第二阻抗匹配電路；每個輸入通道的輸出端連接輸出通道；各個第一阻抗匹配電路的一部分集成于對應(yīng)的輸入通道，其另一部分...

本申請公開了一種螺旋掃描的光強調(diào)控方法、裝置、晶圓檢測系統(tǒng)和介質(zhì)，涉及晶圓檢測領(lǐng)域。在變速掃描的過程中，通過改變光強調(diào)控模塊的透過率改變照明光源入射至晶圓的光強，從而改變了掃描相機接收到的晶圓發(fā)出的散射光信號，且加速掃描過程中，目標(biāo)光強...

本申請?zhí)峁┝艘环N利用環(huán)形光束的激光維持等離子體光源，其包括第一整形部、第二整形部、反射鏡、二向色鏡、反射器和氣體腔室，在氣體腔室中能夠形成等離子體。第一整形部包括錐形光學(xué)元件，泵浦激光經(jīng)過第一整形部能夠形成環(huán)形光束。第二整形部包括一個或...

本申請公開了一種窄線寬的穩(wěn)頻激光器，涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。該激光器中，泵浦光源發(fā)出的光為高重頻的脈沖光，種子光源發(fā)出的光為窄線寬連續(xù)光，泵浦光和種子光在非線性光學(xué)介質(zhì)中進行光學(xué)參量放大，放大過程中保持了種子光的窄線寬的特性以及泵浦光的高重頻...