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        深圳市新凱來工業機器有限公司專利技術

        深圳市新凱來工業機器有限公司共有283項專利

        • 一種工藝套件和半導體處理設備,涉及物理氣相沉積技術領域,包括屏蔽件,屏蔽件包括筒狀側壁,筒狀側壁圍合形成第一容納腔,第一容納腔用于容納靶材;筒狀側壁的內壁面包括沿筒狀側壁軸向方向相鄰接的第一內環壁面和第二內環壁面,第一內環壁面用于與靶材...
        • 本申請提供一種搬運機械手,涉及半導體技術領域。搬運機械手包括本體以及手臂;本體具有第一驅動軸、第二驅動軸以及第三驅動軸;手臂包括肩關節、大臂、肘關節、小臂、腕關節以及腕板組件,大臂的前端連接肩關節,大臂的末端連接肘關節,小臂的前端連接肘...
        • 本申請提供一種半導體外延基座和半導體外延設備,涉及半導體技術領域。用于降低邊緣溫度下降現象,從而提高膜厚均勻性以及電阻率均勻性。半導體外延基座包括支撐部以及位于支撐部上的主體部。主體部包括第一主體段以及第二主體段,第二主體段環繞第一主體...
        • 一種多自由度調節機構和設備,涉及精密設備方位調節技術領域,包括對中調節組件和水平調節組件,對中調節組件包括依次層疊且相對滑動的基臺、第一滑臺和第二滑臺,相對滑動的方向相傾斜或相垂直;水平調節組件包括底座、球鉸結構和調節機構,底座和基臺通...
        • 本申請實施方式提供一種半導體設備及其功率組件、功率模塊。本申請涉及半導體設備技術領域。功率組件包括散熱器與功率器件。散熱器包括連接設置的第一散熱部與第二散熱部,第二散熱部的寬度大于第一散熱部的寬度,第一散熱部遠離第二散熱部的端面用于與電...
        • 一種閥島和設備,涉及氣體流通設備技術領域,閥島包括閥座和閥門,所述閥座內設有腔體和進流道,所述進流道的一端和所述腔體連通,所述進流道的另一端和所述閥門連通;所述腔體呈柱狀,所述進流道的一端和所述腔體的側壁連接;第一面為所述進流道和所述側...
        • 本公開實施例提供一種相機脈沖觸發方法、裝置、設備及存儲介質。該方法包括:向機臺發送第一指示信息,并在機臺滿足第一類判斷條件時,向目標相機發送脈沖信號,然后在機臺運動至所在螺旋線的半徑滿足第一設定條件時,向機臺發送第二指示信息,再在機臺滿...
        • 本申請一實施方式提供一種機械手及機械設備。機械手包括支撐部件、第一驅動部件、第二驅動部件、手臂部件及線纜,第一驅動部件設于支撐部件,第二驅動部件與第一驅動部件連接,第一驅動部件用于驅動第二驅動部件及手臂部件沿高度方向運動,第二驅動部件用...
        • 一種清洗組件和半導體設備,涉及半導體工藝設備技術領域。清洗組件包括頂罩、風扇和鐘罩;所述頂罩和所述鐘罩圍合形成散熱腔,所述頂罩設置有進氣孔,所述風扇內的風扇通道和所述進氣孔連通形成進風通道,所述進風通道和所述散熱腔連通,所述風扇工作時驅...
        • 本申請公開了一種頂針裝置,涉及半導體工藝設備技術領域。頂針裝置包括頂針機構和升降機構;頂針機構包括頂針基座和固定于頂針基座上的頂針;升降機構中,升降軸固定連接于頂針基座,升降驅動器的輸出端固定有運動基座,升降軸活動連接于運動基座上,并可...
        • 本申請實施例提供一種磁場調節機構、反應室及等離子體設備。磁場調節機構應用于等離子體設備的反應室,反應室設有反應腔室,磁場調節機構包括磁性組件和導向組件,磁性組件用于在反應腔室內產生第一磁場;磁性組件活動連接于導向組件,磁性組件能夠沿導向...
        • 本申請實施方式提供一種輸送系統、前驅體盒及半導體設備。輸送系統包括:汽化裝置,用于汽化前驅體;前驅體管路,包括前驅體管、第一前驅兩通閥、第二前驅兩通閥、第一三通閥及第二三通閥,所述前驅體管與所述汽化裝置連接,所述第一前驅兩通閥、所述第一...
        • 本申請提供一種功率合成器和射頻電源,功率合成器包括至少兩個功率放大電路和隔離電路,至少兩個功率放大電路的輸出端并聯到功率合成器的輸出端。功率放大電路中包括功率管和匹配電路,功率管的第一連接端作為功率放大電路的輸入端,功率管的第二連接端通...
        • 管路和設備,涉及設備管路清潔技術領域,管路包括:介質管路、清潔管路和第一截止裝置,清潔管路包括第一清潔入管、清潔出管和第二清潔入管,第一清潔入管的一端連接在介質出管上,第二清潔入管的一端連接在介質入管上,第一清潔入管的另一端和第二清潔入...
        • 本申請提供了一種橋式電路以及開關電源,橋式電路包括至少一個橋臂和至少一個抗串擾電路,橋臂包括串聯的兩個驅動開關管,抗串擾電路包括取反電路和鉗位開關管,驅動開關管的第一端連接控制器以及鉗位開關管的第一端,驅動開關管的第二端連接鉗位開關管的...
        • 本申請實施例提供了一種工藝腔室和工藝設備,工藝腔室包括腔體,腔體用于傳輸電磁波;至少一個開口,至少一個開口設置于腔體;至少一個導電件,至少一個導電件數量小于等于至少一個開口的數量,每個導電件設置于至少一個開口中的一個開口內,每個導電件的...
        • 本申請提供了一種阻抗匹配器以及阻抗匹配方法,阻抗匹配器包括匹配電路和控制模塊,匹配電路包括至少一個匹配電感和多個可變匹配電容,匹配電路與匹配負載相連,控制模塊獲取多組匹配電感值,并基于任一組匹配電感值、第一目標阻抗、每次迭代匹配前的阻抗...
        • 本申請提供了一種蓋合機構及工業設備,涉及精密制造技術領域。蓋合機構包括蓋體、支撐體、腔體、密封件、第一轉軸和第二轉軸。蓋體通過第二轉軸與支撐體可旋轉地連接,并能夠相對于支撐體繞第二轉軸旋轉。支撐體通過第一轉軸與腔體可旋轉地連接,支撐體用...
        • 本申請實施例提供了一種預清洗腔室和預清洗設備,預清洗設備包括預清洗腔室,預清洗腔室包括第一腔壁、進氣件和第二腔壁,進氣件連接于第一腔壁與第二腔壁之間,第一腔壁、進氣件和第二腔壁圍成空腔,進氣件朝向第一腔壁的面與第一腔壁之間形成縫隙,縫隙...
        • 本申請公開一種半導體工藝設備噴淋頭,穹頂蓋和勻氣盤相對固定裝配形成勻氣腔,一個或多個導熱柱安裝在勻氣腔之內,且導熱柱的兩端分別導熱接觸穹頂蓋和勻氣盤,導熱柱一方面可起到支撐作用,加強穹頂蓋和勻氣盤之間的支撐強度;導熱柱另一方面可起到熱量...
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