本申請涉及熱處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到一種加熱裝置及工藝處理設(shè)備。加熱裝置可用于對待加熱器件進(jìn)行加熱，待加熱器件放置在可繞中心軸旋轉(zhuǎn)的支撐部件上，加熱裝置包括多組周向熱輻射單元，多組周向熱輻射單元由中心軸向所述中心軸外周擴(kuò)散，每組周向熱輻...

成像裝置及成像系統(tǒng)，成像裝置包括：照明模塊、成像模塊、光路切換模塊和多個物鏡均收容在外殼所封閉包圍的內(nèi)腔中，多個物鏡分別嵌設(shè)在外殼上并穿設(shè)外殼，多個物鏡的倍率均不同；照明模塊用于發(fā)射照明光束，光路切換模塊用于將照明光束切換到不同的物鏡上...

本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體工藝腔室和半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體工藝腔室包括腔室和氣體注射器；腔室的腔壁圍成內(nèi)腔，腔壁設(shè)有第一通道，第一通道具有第一開口，第一通道通過第一開口與內(nèi)腔連通，第一通道的表面包括第一表面，第一表面朝向第一開口；氣體注射器...

本申請實(shí)施例公開了一種射頻功率合成器、射頻電源及電子設(shè)備，該射頻功率合成器包括：多個輸入端口、多個傳輸通道、輸出端口以及隔離電路。多個傳輸通道的第一端口與多個輸入端口一一對應(yīng)連接，多個傳輸通道的第二端口與輸出端口連接，多個傳輸通道中相鄰...

本申請涉及分流板、分流組件、分流裝置及電子設(shè)備。分流板包括進(jìn)口、N個出口及第一流道至第N流道，進(jìn)口位于分流板的一側(cè)，N個出口位于分流板的另一側(cè)，第一流道至第N流道的一端均連通進(jìn)口，第一流道至第N流道的另一端一一對應(yīng)地連通N個出口，第一流...

本申請?zhí)峁┮环N等離子體處理設(shè)備，涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，用于解決介電窗向設(shè)備本體漏熱的技術(shù)問題，該等離子體處理設(shè)備包括設(shè)備本體，具有反應(yīng)腔，設(shè)備本體的頂部具有與反應(yīng)腔連通的開口；介電窗支撐件控溫裝置，被配置為向介電窗提供高溫氣流，以使介...

本申請?zhí)峁┮环N換針裝置及顯微鏡。顯微鏡包括換針裝置、壓電掃描器以及探針；換針裝置包括外殼、磁流體、磁性件以及氣路系統(tǒng)；磁流體安裝于外殼，磁流體與外殼圍出容置空間；磁性件活動設(shè)置在容置空間內(nèi)，磁性件將容置空間分隔為第一空間和第二空間，相對...

一種光學(xué)器件和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及光學(xué)儀器技術(shù)領(lǐng)域，本申請?zhí)峁┑墓鈱W(xué)器件包括套筒、波片、導(dǎo)向圈和壓圈，套筒設(shè)置有支撐部，壓圈、導(dǎo)向圈、波片和支撐部沿軸向依次設(shè)置，導(dǎo)向圈上設(shè)有第一限位結(jié)構(gòu)，套筒內(nèi)設(shè)有第二限位結(jié)構(gòu)，第一限位結(jié)構(gòu)和第二限位結(jié)構(gòu)配...

本公開實(shí)施例提供一種探針檢測方法、結(jié)構(gòu)、裝置及電子設(shè)備，該方法包括：在待檢測對象的檢測過程中，響應(yīng)于探針的掃描距離滿足預(yù)設(shè)條件，根據(jù)第一預(yù)設(shè)指令控制探針移動至預(yù)設(shè)樣本所在位置；預(yù)設(shè)樣本用于構(gòu)建探針的針尖形貌；根據(jù)第二預(yù)設(shè)指令控制探針掃描...

本申請?zhí)峁┮环N可升降磁懸浮裝置及熱處理設(shè)備，磁懸浮裝置包括腔室、磁懸浮定子、磁懸浮轉(zhuǎn)子、升降裝置和多個傳感器，腔室用于容納磁懸浮轉(zhuǎn)子，磁懸浮定子環(huán)繞于腔室外周。其中，至少一個傳感器與磁懸浮定子相對固定，至少一個傳感器用于檢測磁懸浮轉(zhuǎn)子的...

本申請?zhí)峁┮环N具有磁性組件的半導(dǎo)體設(shè)備，屬于半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體設(shè)備包括腔室、準(zhǔn)直器以及磁性組件。準(zhǔn)直器位于腔室中，磁性組件呈環(huán)狀位于腔室的外周側(cè)。磁性組件包括第一電磁線圈、第二電磁線圈以及第三電磁線圈，第一電磁線圈位于腔室的外...

一種鏡筒和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及光學(xué)元件技術(shù)領(lǐng)域，鏡筒包括鏡組、套筒和殼體，鏡組容置于套筒內(nèi)，套筒上設(shè)置有第一進(jìn)氣孔和第一出氣孔，鏡組分隔通道為至少一個子通道，第一進(jìn)氣孔和第一出氣孔位于鏡組的相對兩側(cè)，第一進(jìn)氣孔、子通道和第一出氣孔依次連通；...

本申請實(shí)施例公開了一種晶圓圖像掃描方法、裝置、終端設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)，上述方法包括：獲取前饋參數(shù)；獲取反饋參數(shù)；基于前饋參數(shù)和反饋參數(shù)獲得晶圓掃描的控制參數(shù)；基于控制參數(shù)控制晶圓圖像掃描設(shè)備對晶圓進(jìn)行掃描以獲取第一晶圓圖像，第一晶圓圖像...

本公開實(shí)施例提供一種晶圓檢測方法及晶圓檢測系統(tǒng)，該方法包括：根據(jù)接收到的檢測指令，控制運(yùn)動臺上的水平橫移臺以及轉(zhuǎn)臺進(jìn)行加速運(yùn)動，其中，在加速運(yùn)動過程中，任一時刻水平橫移臺的移動速度和轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)速的矢量和等于第一恒線速度，其中，所述運(yùn)動臺上...

一種工藝組件和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，工藝組件包括加熱件、固定件和反射件，加熱件用于加熱晶圓；固定件具有固定面，固定面用于固定晶圓；反射件位于固定件背離加熱件的一側(cè)，反射件具有反射面，反射面為反射件朝向固定面一側(cè)的外側(cè)面，反...

本申請?zhí)峁┮环N具有加熱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，包括粒子準(zhǔn)直器、第一加熱結(jié)構(gòu)和第一適配器，其中粒子準(zhǔn)直器內(nèi)部設(shè)有可供粒子束穿過的準(zhǔn)直孔。第一加熱結(jié)構(gòu)位于粒子準(zhǔn)直器的外周側(cè)，第一加熱結(jié)構(gòu)用于對粒子準(zhǔn)直器進(jìn)行加熱釋氣。第...

本申請涉及工藝處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到一種進(jìn)氣分流器、進(jìn)氣結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體工藝腔室及半導(dǎo)體設(shè)備。該進(jìn)氣分流器包括分流器本體，該分流器本體具有進(jìn)氣端和出氣端；分流器本體設(shè)置有進(jìn)氣通道，進(jìn)氣通道具有進(jìn)氣口和至少兩個出氣口。其中，進(jìn)氣口位于分...

一種靜電卡盤和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，靜電卡盤包括主盤體、連接桿、基座和限位組件，連接桿一端與主盤體連接，連接桿的另一端具有第一凹陷部，第一凹陷部內(nèi)設(shè)置有第一限位座；基座與連接桿的另一端連接，基座具有第二凹陷部，第二凹陷部內(nèi)設(shè)置...

本申請?zhí)峁┮环N蓋板及熱處理裝置，屬于熱處理技術(shù)領(lǐng)域，蓋板包括基底和依次層疊在基底一面上的低輻射層、傳熱層和吸收層。吸收層能夠吸收紅外光并轉(zhuǎn)化為熱能，傳熱層將熱能傳遞至基底，使基底溫度升高，低輻射層能夠減小基底溫度升高而因熱輻射損失的能力...

本申請?zhí)峁┮环N對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法，涉及加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。對準(zhǔn)裝置可包括工作臺、第一圖像采集器和信息處理模塊；工作臺具有用于承載工件的承載面，工件上具有標(biāo)記圖案，第一圖像采集器的中心線與承載面垂直，第一圖像采集器用于采集設(shè)置在工件上標(biāo)記圖...